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    Ein Verfahren zum Reduzieren der Kontamination bei der Verarbeitung von ICs beinhaltet das Ausbilden einer Schutzschicht gegen Kontamination mindestens auf der rückseitigen Oberfläche des Substrats. Die Schutzschicht gegen Kontamination umfasst einen niedrigen Diffusionsfaktor und kann effizient gereinigt werden. Bei einer Ausführungsform umfasst die Schutzschicht gegen Kontamination HCD-Siliziumnitrid.
    公开号:DE102004004782A1
    申请号:DE102004004782
    申请日:2004-01-30
    公开日:2004-09-16
    发明作者:Gerhard Adolf Dr. Beitel；Karl Dr. Hornik；Bum-Ki Moon；Katsuaki Kawasaki Natori；Yoshitaka Kawasaki Tsunashima；Moto Kawasaki Yabuki；Haoren Dr. Zhuang
    申请人:Infineon Technologies AG；Toshiba Corp；
    IPC主号:H01L21-302
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung betrifftdie Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie etwa integriertenSchaltungen (ICs). Die Erfindung betrifft insbesondere die Reduzierungder Kontamination von Gerätenund/oder des Substrats, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementenverwendet werden.
    [0002] Die Herstellung von integriertenSchaltungen (ICs) beinhaltet die Ausbildung von Strukturelementenauf einem Substrat, die Schaltungskomponenten, wie etwa Transistoren,Widerständeund Kondensatoren sowie die Verbindungspfade derartiger Komponentenergeben. Zur Ausbildung der Strukturelemente werden auf dem SubstratSchichten wiederholt abgeschieden und wie gewünscht strukturiert. Zur Strukturierungder Bauelementschicht oder der Bauelementschichten werden lithographischeTechniken verwendet. Derartige Techniken verwenden eine Belichtungsquelle,um ein Lichtbild von einer Maske auf eine auf der Oberfläche desSubstrats ausgebildete Fotolackschicht (Lackschicht) zu projizieren.Das Licht beleuchtet die Lackschicht und belichtet sie dabei mitder gewünschtenStruktur. Je nachdem, ob ein positiver oder negativer Lack verwendetwird, werden die belichteten oder unbelichteten Teile der Lackschichtentfernt. Die vom Lack nicht geschützten Teile werden dann beispielsweisegeätzt,um die Strukturelemente im Substrat auszubilden.
    [0003] Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Halbleitersubstrat 101 gezeigt.Das Substrat enthälteine oder mehrere Bauelementschichten 140, die auf dem Substratabgeschieden sind. Die Bauelementschichten werden beispielsweisezur Ausbildung von Strukturelementen verwendet, die als Komponenteneines IC dienen. Währendder Bearbeitung wird das Substrat für verschiedene Bearbeitungsstadienvon Gerät zuGerät bewegt.Elemente 163, wie etwa Chemikalien, aus einem Stadium derBearbeitung könnenauf der Rückseite 105 undauf den Seiten 103 des Substrats abgeschieden werden. DieElemente können mitden nachfolgenden Bearbeitungsstufen inkompatibel oder für sie schädlich sein.Diese Elemente könnenaußerdemauf die anderen Geräte übertragen werden,wodurch die anderen Geräteverunreinigt werden. Außerdemkönnendie Elemente durch das Substrat diffundieren und es dabei verunreinigen.
    [0004] Um eine gegenseitige Kontaminationvon Prozessen und Gerätensowie eine Kontamination des Substrats zu verhindern, wird auf derUnterseite und den Seiten des Substrats durch chemische Dampfabscheidungbei niederem Druck (LP-CVD), wie in 2 gezeigt,eine aus Siliziumnitrid bestehende CAP-Schicht 275 abgeschieden. DieschädlichenElemente werden auf der Oberflächeder Siliziumnitridschicht abgeschieden. Wegen des niedrigen Diffusionsfaktorsvon Siliziumnitrid bleiben die Elemente im wesentlichen an der Oberfläche. Nachdem Abschluss des Prozesses wird ein Reinigungsschritt durchgeführt, beidem die Siliziumnitridschicht geätzt wird,um an ihrer Oberflächeeine bestimmte Dicke zu entfernen. Durch das Entfernen eines Bereichsan der Oberflächeder Siliziumnitridschicht werden auch die Elemente darauf entfernt.Herkömmlicherweise wirdzum Ätzender Oberflächeder Siliziumnitridschicht eine Fluorwasserstoff-(HF)-Chemie verwendet.
    [0005] LP-Nitride weisen jedoch eine geringe Ätzrate auf,wodurch die Effizienz bei der Reinigung reduziert wird. Aufgrundder geringen Ätzratewird außerdemeine Ätzlösung miteiner sehr hohen HF-Konzentration (z.B. etwa 20%) benötigt. DerEinsatz einer Ätzlösung mithoher HF-Konzentration kann für dieGeräteund die Umgebung schädlichsein und auch die Gesundheitsrisiken für Bedienungspersonal vergrößern. Um Ätzlösungen mithohen HF-Konzentrationen zu vermeiden, wurde anstelle von LP-Nitrid Tetraethylorthosilikat(TEOS) vorgeschlagen. Wenngleich TEOS eine höhere Ätzrate aufweist, hat es aucheinen höherenDiffusionsfaktor, wodurch Elemente tiefer in die Schicht diffundierenkönnen.Dies führtzu einer längerenReinigungszeit, um die TEOS-Schicht ausreichend zu ätzen, damitsichergestellt wird, dass die Elemente entfernt sind, wodurch dieEffizienz bei der Reinigung reduziert wird. Außerdem wird dadurch eine vieldickere TEOS-Schicht benötigt,um den gleichen Schutz wie das LP-Nitrid bereitzustellen. Dadurchsteigt das Risiko einer Delaminierung oder eines Ablösens vomSubstrat.
    [0006] Entsprechend der vorausgegangenenErläuterungist es wünschenswert,eine verbesserte Schicht zum Schützendes Substrats gegen Kontaminationen bereitzustellen.
    [0007] Die Erfindung betrifft allgemeindie Herstellung von ICs. Die Erfindung betrifft insbesondere das Reduzierender Kontamination bei der Herstellung von ICs. Bei einer Ausführungsformwird mindestens auf einer rückseitigenOberflächedes Substrats eine Schutzschicht gegen Kontamination ausgebildet.Die Schutzschicht gegen Kontamination wird bevorzugt mindes tensauf der rückseitigenund den seitlichen Oberflächenausgebildet. Die Schutzschicht gegen Kontamination umfasst einenniedrigen Diffusionsfaktor und kann effizient gereinigt werden.Bei einer Ausführungsformliegt der Diffusionsfaktor der Schutzschicht gegen Kontaminationunter dem von TEOS. Bei einer Ausführungsform umfasst die Schutzschichtgegen Kontamination HCD-Siliziumnitrid.
    [0008] Die Schutzschicht gegen Kontaminationwird vor einem kritischen Prozess auf dem Substrat ausgebildet.Nach einem kritischen Prozess wird sie gereinigt, um die schädlichenElemente von der Schutzschicht gegen Kontamination zu entfernen.Bei einer Ausführungsformwird die Schutzschicht gegen Kontamination unter Verwendung einerReinigungslösunggereinigt, die verdünntesHF (DHF) in Ozonwasser (OZW) umfasst. Bei einer Ausführungsform umfasstdie Reinigungslösungetwa 0,2 bis 3% DHF bei > 10ppm OZW (mehr als 10 ppm OZW). Die Reinigungslösung umfasst bevorzugt etwa0,5 bis 2% DHF bei > 15ppm OZW (mehr als 15 ppm OZW).
    [0009] 1 zeigtein Halbleitersubstrat während einesProzesses,
    [0010] 2 zeigtein Halbleitersubstrat mit herkömmlicherCAP-Schicht, und
    [0011] 3 und 4 zeigen einen Prozess gemäß einerAusführungsformder Erfindung.
    [0012] Die Erfindung betrifft allgemeindie Herstellung von ICs. Die ICs sind beispielsweise Speicher-ICsmit einem Feld von Speicherzellen. Bei einer Ausführungsformsind die Speicherzellen ferroelektrische Speicherzellen. Die Ausbildunganderer Arten von ICs ist ebenfalls nützlich. In derartigen ICs kannein Feld von Speicherzellen eingebettet sein oder nicht. Allgemeinwerden auf einem Halbleitersubstrat, wie etwa einem Siliziumwafer,mehrere ICs parallel ausgebildet. Nach dem Abschluss der Bearbeitungwird der Wafer zerlegt, um die ICs in Einzelchips zu trennen. DieChips werden dann verkapselt, wodurch man ein Endprodukt erhält, dasbeispielsweise in Verbraucherprodukten, wie etwa Computersystemen,Mobiltelefonen, Personal Digital Assistants (PDAs) und anderen Elektronikproduktenverwendet wird. Die Erfindung betrifft insbesondere die Reduzierungder gegenseitigen Kontamination von Geräten und Prozessen, sowie derKontamination des Wafers, auf dem die ICs ausgebildet werden.
    [0013] 3 zeigteine Ausführungsformgemäß einerAusführungsformder Erfindung. Wie gezeigt, wird ein Halbleitersubstrat 301 bereitgestellt.Das Substrat ist beispielsweise ein Halbleiterwafer, der Siliziumaufweist. Es könnenauch andere Arten von Substraten geeignet sein. Je nach dem Stadiumder Verarbeitung kann das Substrat eine oder mehrere Bauelementschichten 340 enthalten.Das Substrat kann auch Strukturelemente enthalten, die unter den Bauelementschichtenliegen. Bei dem Substrat kann es sich aber auch um ein unbehandeltesSubstrat vor dem ersten Stadium der Verarbeitung handeln.
    [0014] Die Bauelementschichten werden dazuverwendet, Strukturelemente herzustellen, damit Komponenten desIC ausgebildet werden. Bei einer Ausführungsform werden die Bauelementschichtenzum Ausbilden von Kondensatoren verwendet. Die Schichten eines Kondensatorsenthalten beispielsweise eine dielektrische Schicht zwischen einerersten und zweiten leitenden Schicht. Die Schichten werden bevorzugtzum Ausbilden von ferroelektrischen Kondensatoren verwendet. DerartigeSchichten enthalten eine ferroelektrische Schicht zwischen einerersten und zweiten Elektrode. Bei der ferroelektrischen Schichtkann es sich um PZT handeln, währenddie Elektrodenschichten ein Edelmetall, wie etwa Platin, sein können. Eskönnenauch andere ferroelektrische und leitende Materialien, wie etwaSBT, SRO und Ir verwendet werden.
    [0015] Die Rückseite des Substrats wirdmit einer Schutzschicht gegen Kontamination 375 beschichtet. Bevorzugtwerden auch die Kanten des Substrats mit der Schutzschicht gegenKontamination beschichtet. Bei einer Ausführungsform wird das Substratvor einem Prozess mit einer Schutzschicht gegen Kontamination beschichtet,bei dem die Kontamination des Substrats oder eine gegenseitige Kontaminationvon Gerätenein Problem oder ein Anliegen darstellt. Ein derartiger Prozesswird beispielsweise als ein kritischer Prozess bezeichnet. In einemvollständigen Prozessflusskann es mehr als einen kritischen Prozess geben. Die Schutzschichtgegen Kontamination wird bevorzugt vor dem ersten kritischen Prozess ausgebildet,und sie sollte ausreichend dick sein, um alle nachfolgenden kritischenProzesse des Prozessflusses zu berücksichtigen. Alternativ kanndie Schutzschicht gegen Kontamination nach jedem kritischen Prozessentfernt und vor dem nächstenkritischen Prozess wieder aufgetragen werden oder eine Kombinationmit einer Schutzschicht, die einige der Prozesse schützt undfür anderewieder aufgetragen wird, wird vorgesehen.
    [0016] Die Schutzschicht gegen Kontaminationumfasst ein Material mit einem niedrigen Diffusionsfaktor und kanneffizient ge reinigt werden, um die Verwendung von Reinigungslösungen mithohen HF-Konzentrationen zu vermeiden. Bei einer Ausführungsformumfasst die Schutzschicht gegen Kontamination einen Diffusionsfaktorunterhalb dem von TEOS. Die Ätzrateder Schutzschicht gegen Kontamination ist höher als die des bei herkömmlichen CAP-Schichtenverwendeten Siliziumnitrids (z.B. größer als etwa 2,5 Å/min ineiner 1:200 verdünnten HF-Lösung). Die Ätzrate der Schutzschicht gegen Kontaminationist bevorzugt mindestens gleich etwa 4 Å/min in einer 1:200 verdünnten HF-Lösung. Besondersbevorzugt ist die Ätzrateder Schutzschicht gegen Kontamination mindestens gleich etwa 5 Å/min ineiner 1:200 verdünntenHF-Lösung.
    [0017] Bei einer Ausführungsform umfasst die Schutzschichtgegen Kontamination ein Siliziumnitrid mit einem niedrigen Epsilon-Wert (k) (k: Dielektrizitätskonstante).Bei einer Ausführungsformumfasst die Schutzschicht gegen Kontamination Siliziumnitrid miteinem niedrigen k-Wert, wobei k unter etwa 7,5 liegt, bevorzugtliegt k unter 7,3, besonders bevorzugt liegt k zwischen etwa 5 und7,3. Das Siliziumnitrid mit einem niedrigen k-Wert umfasst bevorzugt Hexachlordisilan-(HCD)-Siliziumnitrid. Eseignen sich auch andere Arten von Siliziumnitrid mit einem niedrigenk-Wert. Bei einer anderen Ausführungsformumfasst die Schutzschicht gegen Kontamination poröses Siliziumnitridmit einer Dichte von unter etwa 2,8. Die Dichte des porösen Siliziumnitridsbeträgt bevorzugtunter etwa 2,6.
    [0018] Das HCD-Siliziumnitrid wird beispielsweise durchCVD, wie etwa LP-CVD, abgeschieden. Für HCD-Siliziumnitrid wird Hexachlordisilanverwendet. Es könnensich auch andere Abscheidungstechniken eignen. Der Abscheidungsprozessist in der Regel ein Chargenprozess, der die Schutzschicht gegen Kontami nationauf allen Oberflächendes Substrats abscheidet. Gegebenenfalls wird die Schutzschicht gegenKontamination, die mindestens das Chipgebiet (z.B. das Gebiet desSubstrats, wo ICs oder Komponenten ausgebildet werden) bedeckt,auf der oberen Oberflächedes Substrats entfernt. Dadurch sind die Kanten auf der Oberseite,den Seiten und an der Unterseite des Substrats weiterhin von der Schutzschichtgegen Kontamination geschützt.Dies erreicht man beispielsweise durch Aufbringen einer Maske aufdas Nicht-Chipgebiets auf der oberen Oberfläche des Substrats und Ätzen derSchutzschicht in dem Chipgebiet. Die Ätzung umfasst beispielsweiseeine Nassätzung.Es sind auch andere Arten von Ätztechniken,wie etwa reaktives Ionenätzen(RIE), geeignet. Die Schutzschicht wird bevorzugt selektiv zu demMaterial darunter geätzt,wie etwa dem Substrat oder Siliziumoxid. Alternativ kann eine zeitlichgesteuerte Ätzungdurchgeführtwerden, um die Schutzschicht zu entfernen.
    [0019] Die Dicke der Schutzschicht reichtaus, um zu verhindern, dass die Nebenprodukte das Substrat verunreinigen.Bevorzugt reicht die Dicke der Schutzschicht aus, um das Substratwährendanderer kritischer Prozesse des Prozessflusses zu schützen. Besondersbevorzugt reicht die Dicke der Schutzschicht aus, um das Substratwährendaller anderen kritischen Prozesse des Prozessflusses zu schützen. Bei einerAusführungsformbeträgtdie Dicke der Schutzschicht gegen Kontamination etwa 100 nm. Jenach Anwendung und Material sind auch andere Dicken geeignet.
    [0020] Unter Bezugnahme auf 4 wird das Substrat in einer Kammer 450 einesVerarbeitungsgeräts verarbeitet.Bei einer Ausführungsformführt dasGerät einenkritischen Prozess durch. Der kritische Prozess ist beispielsweiseein Ätzprozesswie etwa reaktives Ionenätzen(RIE) zum Strukturieren der Schichten. Bei einer Ausführungsformwerden die Schichten strukturiert, um Kondensatoren von Speicherzellen auszubilden.Bevorzugt strukturiert der Prozess die Schichten, um ferroelektrischeKondensatoren auszubilden. Das Ausbilden anderer Arten von Strukturelementenoder andere Arten von kritischen Prozessen, wie etwa RTA, sind ebenfallsgeeignet. Die Schichten werden in einem Ätzgerät, wie etwa einem RIE-Gerät, strukturiert.
    [0021] Währenddes Prozesses entstehen Nebenprodukte. Einige der Nebenprodukte 463 werdenbeispielsweise auf den Seiten und auf der Unterseite des Substratsabgeschieden. Diese Nebenprodukte können für nachfolgende Prozesse schädlich sein.In dem Fall, wenn ferroelektrische Kondensatoren ausgebildet werden,könnenzu schädlichenNebenprodukten beispielsweise Platin, Zirconium, Strontium, Iridiumund/oder Blei zählen.Aufgrund des niedrigen Diffusionsfaktors der Schutzschicht gegenKontamination wird die Diffusion der schädlichen Nebenprodukte durchdie Schicht blockiert. Die schädlichen Nebenproduktediffundieren beispielsweise etwa 1 bis 3 nm in die Schutzschichtgegen Kontamination.
    [0022] Nach der Beendigung des Prozesseswird das Substrat aus dem Verarbeitungsgerät herausgenommen und gereinigt,um die Kontaminationen zu entfernen. Bei einer Ausführungsformwerden die Kontaminationen entfernt, indem mindestens ein Teil derSchutzschicht gegen Kontamination entfernt wird. Bei einer Ausführungsformwird eine ausreichende Menge an Schutzschicht entfernt, so dassdie Konzentrationen der schädlichenNebenprodukte unter einer spezifizierten Konzentration liegen. Diespezifizierte Konzentration ist beispielsweise etwa gleich 1E10atm/cm2. Je nach der Anwendung können auch andereKon zentrationen geeignet sein. In der Regel werden etwa 5 nm Schutzschichtentfernt.
    [0023] Bei einer Ausführungsform wird die Schutzschichtgegen Kontamination durch eine Nassätzung entfernt. Die Nassätzung kannbeispielsweise in einem Ätzgerät vom Aufschleudertypdurchgeführt werden.Es könnenauch andere Arten von Geräten verwendetwerden. Die Nassätzungumfasst eine Fluorwasserstoff-(HF)-Lösung. DieHF-LösungenthältOzonwasser (OZW). Bei einer Ausführungsform umfasstdie Chemie der Nassätzungetwa 0,2 bis 3% DHF mit > 10ppm OZW, bevorzugt umfasst die Chemie etwa 0,5 bis 2% DHF mit > 15 ppm OZW.
    [0024] Wie erläutert, kann der Prozessflusszusätzlichekritische Prozesse enthalten. Gegebenenfalls kann auf dem Waferfür dennächstenkritischen Prozess eine zusätzlicheSchutzschicht gegen Kontamination ausgebildet sein. Alternativ bleibtvon dem vorherigen Reinigungsprozess eine ausreichende Menge anSchutzschicht gegen Kontamination zurück, um den Wafer zu schützen. Nachder Fertigstellung des IC wird das Substrat zerlegt, und die Chipswerden gekapselt.
    [0025] Die Erfindung ist unter Bezugnahmeauf verschiedene Ausführungsformeneingehend gezeigt und beschrieben worden, und der Fachmann erkennt,dass an der vorliegenden Erfindung Modifikationen und Änderungenvorgenommen werden können,ohne von ihrem Gedanken und Umfang abzuweichen. Der Umfang der Erfindungsollte deshalb nicht unter Bezugnahme auf die obige Beschreibung, sondernunter Bezugnahme auf die beigefügtenAnsprüchezusammen mit dem vollen Bereich an Äquivalenten bestimmt werden.
    101 Halbleitersubstrat 103 Seite 105 Rückseite 140 Bauelementschicht 163 Element 275 CAP-Schicht 301 Halbleitersubstrat 340 Bauelementschicht 375 Schutzschicht 450 Kammer 463 Nebenprodukte
    权利要求:
    Claims (24)
    [1] Verfahren zum Reduzieren der Kontamination beider Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs), umfassend: Bereitstelleneines Substrats mit oberen, unteren und seitlichen Oberflächen; und Ausbildeneiner Schutzschicht gegen Kontamination auf mindestens der unterenOberflächedes Substrats, wobei die Schutzschicht gegen Kontamination einengeringen Diffusionsfaktor aufweist und effizient gereinigt werdenkann.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination das Abscheiden der Schutzschichtgegen Kontamination auf Oberflächendes Substrats umfasst.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination weiterhin das Entfernen der Schutzschichtgegen Kontamination mindestens von einem Chipgebiet auf der oberenOberflächedes Substrats umfasst.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die integrierteSchaltung ein Speicherfeld oder Speicherzellen umfasst.
    [5] Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination das Abscheiden der Schutzschichtgegen Kontamination auf Oberflächendes Substrats umfasst.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination weiterhin das Entfernen der Schutzschichtgegen Kontamination mindestens von einem Chipgebiet auf der oberenOberflächedes Substrats umfasst.
    [7] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die integrierteSchaltung ein Speicherfeld aus ferroelektrischen Speicherzellenumfasst.
    [8] Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination das Abscheiden der Schutzschichtgegen Kontamination auf Oberflächendes Substrats umfasst.
    [9] Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Ausbilden derSchutzschicht gegen Kontamination weiterhin das Entfernen der Schutzschichtgegen Kontamination mindestens von einem Chipgebiet auf der oberenOberflächedes Substrats umfasst.
    [10] Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend: Bearbeitendes Substrates durch einen Prozess, wobei der Prozess schädliche Elementeauf der Schutzschicht gegen Kontamination abscheidet; und Reinigender Schutzschicht gegen Kontamination von den schädlichenElementen.
    [11] Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Reinigen derschädlichenElemente das Entfernen mindestens eines Teils der Schutzschichtgegen Kontamination umfasst, um die schädlichen Elemente zu entfernen.
    [12] Verfahren nach Anspruch 11, wobei eine Reinigungslösung zumReinigen der schädlichenElemente von der Schutzschicht gegen Kontamination 0,2 bis 3% DHFumfasst.
    [13] Verfahren nach Anspruch 11, wobei eine Reinigungslösung zumReinigen der schädlichenElemente von der Schutzschicht gegen Kontamination 0,5 bis 2% DHFumfasst.
    [14] Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Diffusionsfaktorder Schutzschicht gegen Kontamination unter dem von Tetraethylorthosilikatliegt.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Schutzschichtgegen Kontamination Siliziumnitrid mit einem niedrigen k-Wert umfasst.
    [16] Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Siliziumnitridmit einem niedrigen k-Wert einen k-Wert von unter etwa 7,5 umfasst.
    [17] Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Siliziumnitridmit einem niedrigen k-Wert einen k-Wert von unter etwa 7,3 umfasst.
    [18] Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Siliziumnitridmit einem niedrigen k-Wert einen k-Wert von zwischen etwa 5 bis7,3 umfasst.
    [19] Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Schutzschichtgegen Kontamination porösesSiliziumnitrid umfasst.
    [20] Verfahren nach Anspruch 19, wobei das poröse Siliziumnitrideine Dichte von unter etwa 2,8 umfasst.
    [21] Verfahren nach Anspruch 20, wobei das poröse Siliziumnitrideine Dichte von unter etwa 2,6 umfasst.
    [22] Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Schutzschichtgegen Kontamination eine Ätzratevon überetwa 2,5 Å/minin 1:200 verdünnterLösungumfasst.
    [23] Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Schutzschichtgegen Kontamination eine Ätzratevon überetwa 4 Å/minin 1:200 verdünnterLösungumfasst.
    [24] Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Schutzschichtgegen Kontamination eine Ätzratevon überetwa 5 Å in1:200 verdünnterLösungumfasst.
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    2008-06-19| 8131| Rejection|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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